失效分析
服務(wù)項(xiàng)目 / 失效分析 / 失效點(diǎn)定位 / 砷化鎵銦微光顯微鏡
砷化鎵銦微光顯微鏡
項(xiàng)目描述
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。區(qū)別在于InGaAs可偵測的波長較長，范圍約在900nm到1600nm之間，等同于紅外線的波長區(qū)， EMMI則是在350nm到1100nm。
InGaAs相較EMMI，更適用在檢測先進(jìn)制程組件的缺陷，原因在于尺寸小的組件，相對操作電壓也隨之降低，使得熱載子所激發(fā)出的光波長變得較長，而InGaAs就非常適合用于偵測先進(jìn)制程產(chǎn)品的亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)定位。
應(yīng)用范圍
偵測缺陷(Defect)時(shí)間比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可偵測到微小電流及先進(jìn)制程的缺陷(Defect)。
可測到較輕微的 Metal Bridge。
針對芯片背面(Back-Side)的定位分析，紅外光對硅基板穿透率較高。
檢測優(yōu)勢
有專業(yè)的設(shè)備，可節(jié)省樣品備制的時(shí)間與成本。