失效分析
服務(wù)項(xiàng)目 / 失效分析 / 電性檢測 / 點(diǎn)針信號(hào)量測
點(diǎn)針信號(hào)量測
項(xiàng)目描述
透過OM or SEM，配合探針(Prober)搭接于IC線路上，再外接各類電性量測設(shè)備，以輸入訊號(hào)或量測電性曲線。在真空環(huán)境下，以點(diǎn)針(Prober)進(jìn)行電性量測，避免外界環(huán)境的噪聲干擾，對(duì)于半導(dǎo)體組件失效分析，均能提供直接且快速的信息。
應(yīng)用范圍
組件電性特性分析；
微機(jī)電及芯片微結(jié)構(gòu)研究；
可應(yīng)用在高頻電路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz)；
當(dāng)分析樣品需使用如InGaAs/OBIRCH/TLP/ESD/Curve Tracer等儀器卻無適當(dāng)治具或socket可用時(shí)，可用點(diǎn)針方式提供信號(hào)輸入輸出；
Wafer可點(diǎn)針進(jìn)行各項(xiàng)測試；
實(shí)驗(yàn)室設(shè)備優(yōu)勢
可依據(jù)不同需求，搭配多種設(shè)備進(jìn)行量測。